EUV 리소그래피용 포토마스크 상에 2 나노미터 세대 이후의 미세한 패턴의 해상을 달성

대일본 인쇄 주식회사(본사:도쿄 대표 이사 사장:기타지마 요시이 이하:DNP)는, 반도체 제조의 최첨단 프로세스의 EUV(Extreme Ultra-Violet:극단 자외선) 리소그래피에 대응한,2 나노미터(nm:10^-9 m) 세대 이후 ^*1의 로직 반도체용 포토마스크에 요구되는 미세한

또한 DNP는 2nm 세대 이후의 차세대 반도체용으로 적용이 검토되고 있는 고 개구수(High-Numerical Aperture：고NA) ^*2에 대응한 포토마스크의 기초 평가가 완료되어 반도체 개발 컨소시엄이나 제조장치 메이커, 재료 메이커 등에 평가용 포토마스크의 제공을 개시했습니다. 고 NA-EUV 리소그래피는 기존에 비해 고해상도의 미세한 패턴을 실리콘 웨이퍼 상에 형성하는 것을 가능하게 하여, 고성능 저전력 반도체의 실현이 기대되고 있다.

최근, 최첨단의 로직 반도체에서는 EUV 광원을 이용한 EUV 리소그래피에 의한 양산이 한층 더 진행되어, 메모리 반도체에 있어서도 그 채용이 확대되는 등, 최첨단 반도체의 공급에 EUV 리소그래피가 빠뜨릴 수 없는 것이 되고 있습니다.

DNP는 2023년 3nm 세대 EUV 리소그래피용 포토마스크 제조 프로세스 개발 ^*3을 완료했습니다. 2024년에는 Rapidus 주식회사(본사: 도쿄 대표 이사 사장: 코이케 준요시)가 참가하고 있는 국립 연구 개발 법인 신에너지·산업 기술 종합 개발 기구(NEDO)의 「포스트 5G 정보 통신 시스템 ^기반 강화 연구 개발 사업」에 재위탁처로서 참가해, 최첨단 로직 반도체용 포토마스크 제조 프로세스 및 보증

이번 DNP는 첨단 영역의 반도체 제조를 위해 2nm 세대 이후의 로직 반도체용 포토마스크에 요구되는 미세 패턴을 EUV 리소그래피용 포토마스크로의 해상에 성공했습니다. 또한 2nm 세대 이후의 차세대 반도체용으로 적용이 검토되고 있는 고NA에 대응한 EUV 포토마스크의 기초 평가도 완료하여 샘플 마스크의 제공을 개시하고 있습니다.

• 2nm 세대 이후 EUV 리소그래피용 포토마스크의 실현에는 3nm 세대에 비해 20% 이상 축소된 패턴이 요구됩니다. 크기뿐만 아니라 형상도 일반적인 직선이나 직사각형 패턴뿐만 아니라 복잡성을 더한 곡선 패턴을 포함한 모든 미세한 패턴을 동일 마스크 상에서 해상시키는 기술이 필요합니다. DNP는 확립된 3nm 세대의 제조 공정을 기반으로 개선을 거듭함으로써 2nm 세대 이후에 요구되는 패턴의 해상을 달성했습니다.