Fortalecimiento del sistema de producción en masa de plantillas de nanoimpresión para semiconductores de próxima generación

La demanda de memoria flash NAND ha crecido rápidamente en los últimos años. Se espera que esta memoria, con su estructura 3D en la que las celdas se disponen verticalmente, experimente un aumento significativo en la demanda de smartphones y centros de datos, ya que puede aumentar drásticamente la capacidad de datos. El pronóstico del mercado predice que los envíos de memoria flash NAND alcanzarán los 50 000 millones de dólares en 2018, frente a los poco menos de 30 000 millones de dólares de 2015, con más del 70 % de esa cantidad en estructura 3D ^*. Sin embargo, los métodos de fabricación de semiconductores que utilizan tecnología de fotolitografía convencional tienen dificultades para gestionar la compleja estructura 3D, y el aumento de los costes de fabricación, como el alto coste de los equipos de fabricación, se ha convertido en un problema.

Para abordar este problema, los métodos de fabricación NIL permiten transferir y replicar directamente los patrones de circuitos a partir de una plantilla, eliminando así la necesidad de costosos equipos ópticos y permitiendo la fabricación con equipos de exposición relativamente económicos. Además, gracias a la simplificación del proceso de fabricación, NIL está ganando reconocimiento como una tecnología innovadora de fabricación de semiconductores que puede reducir los costos en aproximadamente un tercio en comparación con los métodos convencionales de fabricación por fotolitografía.

DNP ha estado desarrollando plantillas esenciales para el proceso NIL desde 2003. Desde 2009, la empresa ha estado trabajando con Toshiba y Canon para desarrollar el proceso NIL y ha invertido 7 mil millones de yenes hasta la fecha, estableciendo un sistema de producción en masa para plantillas con un ancho de línea de circuito de 20 nm en 2015. DNP también ha tenido éxito en el desarrollo de plantillas maestras, que sirven como originales para NIL en el rango de 10 nm, para semiconductores de próxima generación, y plantillas de réplica, que se replican a partir de las plantillas maestras.

Los fabricantes de semiconductores de todo el mundo están reforzando sus sistemas de producción e implementando tecnologías de fabricación de semiconductores basadas en NIL para reducir los costos de fabricación de la memoria flash NAND 3D y responder a la creciente miniaturización. Para responder a estas tendencias, DNP también reforzará sus instalaciones con una inversión de capital de 4 mil millones de yenes, incluyendo equipos de litografía EB (litografía multihaz) de alta resolución y alta velocidad, y equipos de proceso relacionados, como el grabado en seco. Además, establecerá un sistema de producción en masa que pueda responder a la creciente demanda de plantillas NIL.

Al fortalecer sus sistemas de desarrollo y producción para responder a la mayor miniaturización y reducción de costos de los semiconductores en el futuro, DNP apunta a ventas de aproximadamente 10 mil millones de yenes en plantillas NIL en 2019.