Se desarrolló un proceso de fabricación de fotomáscaras para litografía EUV equivalente a 3 nanómetros
Respondiendo a las necesidades del mercado de semiconductores, donde los anchos de línea de circuitos son cada vez más finos
12 de diciembre de 2023
Dai Nippon Printing Co., Ltd. (DNP) ha desarrollado un proceso de fabricación de fotomáscaras equivalente a 3 nanómetros (nm: 10-9 m) compatible con la litografía EUV (ultravioleta extremo), un proceso de vanguardia en la fabricación de semiconductores. Esto responde a la necesidad de anchos de línea de circuito más finos que acompañan al creciente rendimiento de los semiconductores lógicos utilizados en teléfonos inteligentes, centros de datos y otros dispositivos.
DNP se convertirá en accionista de SCIVAX tras recibir una transferencia parcial de sus acciones. Ambas compañías combinarán la experiencia de DNP en producción en masa con las fortalezas de SCIVAX, incluyendo sus instalaciones de fabricación en masa, para satisfacer las necesidades de producción en masa de los fabricantes de productos de nanoimpresión, tanto en Japón como en el extranjero.
Fotomáscara para litografía EUV equivalente a 3 nanómetros
[Antecedentes del desarrollo]
En los últimos años, se ha consolidado la tecnología de litografía EUV con una fuente de luz EUV, y la producción mediante litografía EUV está progresando para semiconductores lógicos de vanguardia. Se prevé que el ancho de línea de los circuitos de semiconductores seguirá reduciéndose, y los productos que utilizan semiconductores lógicos de 3 nm estarán disponibles en 2023. La litografía EUV también se está adoptando cada vez más para semiconductores de memoria, lo que hace que la compatibilidad con EUV sea esencial para el suministro de semiconductores de vanguardia.
En 2016, DNP se convirtió en el primer fabricante especializado de fotomáscaras del mundo en introducir un escritor de máscaras de haz multielectrónico *1, y desde entonces ha respondido a las demandas de los fabricantes de semiconductores con su alta productividad y calidad. Además, en 2020, DNP desarrolló un proceso de fabricación de fotomáscaras para litografía EUV equivalente al proceso de 5 nm *2, y ha suministrado máscaras que satisfacen las necesidades del mercado de semiconductores. Ahora, para satisfacer la demanda de una miniaturización aún mayor, DNP ha desarrollado una fotomáscara para litografía EUV equivalente al proceso de 3 nm.
[Descripción general del desarrollo]
El escritor de máscaras de haz multielectrónico, presentado por DNP en 2016, es capaz de irradiar aproximadamente 260.000 haces de electrones, lo que reduce significativamente el tiempo de escritura incluso para patrones complejos. En este último desarrollo, DNP ha mejorado el proceso de fabricación aprovechando las características de este equipo y ha optimizado la tecnología de corrección de datos y las condiciones de procesamiento para adaptarse a la compleja estructura de patrones curvos de las fotomáscaras para la litografía EUV.
DNP instalará un nuevo sistema de escritura de máscaras de haz multielectrónico, cuyas operaciones están programadas para comenzar en la segunda mitad de 2024. Esto fortalecerá el apoyo a la fabricación de semiconductores de vanguardia, incluidas las fotomáscaras para litografía EUV.
Promoveremos el desarrollo conjunto de fotomáscaras para equipos de exposición EUV de próxima generación con imec (Centro Interuniversitario de Microelectrónica), un instituto de investigación internacional de vanguardia con sede en Bélgica.
[Desarrollos futuros]
DNP proporcionará las fotomáscaras de litografía EUV equivalentes a 3 nm recientemente desarrolladas a fabricantes de semiconductores de todo el mundo, así como a consorcios de desarrollo de semiconductores, fabricantes de equipos de fabricación, fabricantes de materiales y otros, y también apoyará el desarrollo de tecnologías de litografía EUV periférica, apuntando a ventas anuales de 10 mil millones de yenes para 2030. Además, a través del desarrollo conjunto con socios como imec, DNP también avanzará en el desarrollo de procesos para dimensiones más finas que 3 nm, hasta 2 nm e inferiores.
*1 Comunicado de prensa del 13 de diciembre de 2016: Fortalecimiento del sistema de producción para fotomáscaras de semiconductores de próxima generación
*2 Comunicado de prensa del 10 de julio de 2020: Se desarrolló un proceso de fotomáscara para la litografía EUV de 5 nm
- Mostraremos fotomáscaras para litografía EUV en SEMICON Japón 2023.
- Los nombres de empresas y productos enumerados son marcas comerciales o marcas comerciales registradas de las respectivas empresas.
- Las especificaciones del producto y los detalles del servicio que se indican en este comunicado de prensa están vigentes a la fecha de publicación. Tenga en cuenta que pueden estar sujetos a cambios sin previo aviso.