Aceleración del desarrollo del proceso de fabricación de fotomáscaras para la litografía EUV de generación de 2 nanómetros
Participó en el "Proyecto de investigación y desarrollo de fortalecimiento de la infraestructura del sistema de información y comunicaciones post-5G" de NEDO como subcontratista de Rapidus.
27 de marzo de 2024
Dai Nippon Printing Co., Ltd. (DNP) ha comenzado el desarrollo a gran escala de un proceso de fabricación de fotomáscaras para semiconductores lógicos de generación de 2 nanómetros (nm: 10-9 m) que es compatible con la litografía EUV (ultravioleta extremo), un proceso de vanguardia en la fabricación de semiconductores.
DNP participará ahora como subcontratista en el Proyecto de Investigación y Desarrollo de Fortalecimiento de la Infraestructura del Sistema de Información y Comunicaciones Post-5G de la Organización para el Desarrollo de Nuevas Energías y Tecnología Industrial (NEDO), en el que también participa Rapidus Inc. (sede central: Tokio, presidente y director representante: Koike Atsuyoshi), y proporcionará tecnologías relacionadas con este proceso de fabricación y garantía.
Fotomáscaras para litografía EUV con película*1, una película protectora para fotomáscaras
[Antecedentes y descripción general del desarrollo]
En los últimos años, la producción de semiconductores lógicos de vanguardia ha avanzado gracias a la litografía EUV, que utiliza una fuente de luz EUV. En 2016, DNP se convirtió en el primer fabricante especializado de fotomáscaras del mundo en introducir un escritor de máscaras de haz multielectrónico *2, lo que reforzó su compromiso con la fabricación de semiconductores de vanguardia con alta productividad y calidad. En 2023, la empresa completó el desarrollo de un proceso de fabricación de fotomáscaras para la litografía EUV de 3 nanómetros *3 y comenzó el desarrollo para la generación de 2 nanómetros.
En respuesta a la necesidad de una mayor miniaturización, comenzaremos el desarrollo a gran escala de un proceso de fabricación de fotomáscaras para litografía EUV de generación de 2 nanómetros, incluida la operación de un segundo y tercer escritor de máscaras de haz multielectrónico durante el año fiscal 2024.
Además, DNP participa como subcontratista en el "(d1) Desarrollo de tecnología de fabricación para semiconductores lógicos de vanguardia altamente integrados", un proyecto encargado por Rapidus Inc. como parte del "Proyecto de investigación y desarrollo de fortalecimiento de la infraestructura del sistema de información y comunicaciones post-5G" de NEDO.
[Desarrollos futuros]
DNP completará el desarrollo de un proceso de fabricación de fotomáscaras para semiconductores lógicos de generación de 2 nanómetros compatibles con la litografía EUV para el año fiscal 2025, y a partir del año fiscal 2026 trabajará para establecer tecnologías de producción, con el objetivo de comenzar la producción en masa en el año fiscal 2027.
Además, hemos comenzado el desarrollo con la vista puesta en la generación de 2 nanómetros y más allá, y hemos firmado un acuerdo con imec, un instituto de investigación internacional de vanguardia con sede en Bélgica, para desarrollar conjuntamente fotomáscaras para EUV de próxima generación.
DNP contribuirá al crecimiento de la industria de semiconductores de Japón promoviendo el desarrollo en colaboración con varios socios de la industria internacional de semiconductores.
*1 Al transferir circuitos en semiconductores de generación de 2 nanómetros, la adhesión de partículas extrañas a las fotomáscaras de litografía EUV puede reducir el rendimiento de fabricación de semiconductores. El DNP promoverá el desarrollo de un proceso de fabricación de fotomáscaras EUV con película.
*2 2023年12月12日ニュースリリース:3ナノメートル相当のEUVリソグラフィ向けフォトマスク製造プロセスを開発 → https://www.dnp.co.jp/news/detail/20170116_1587.html
*3 2016年12月13日ニュースリリース:次世代半導体用フォトマスクの生産体制を強化 → https://www.dnp.co.jp/news/detail/1187660_1587.html
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