Invirtió en Rapidus para apoyar el establecimiento de un sistema de producción en masa para semiconductores de próxima generación
Aceleración del desarrollo y la producción en masa de fotomáscaras para litografía EUV
27 de febrero de 2026
Dai Nippon Printing Co., Ltd. (sede central: Tokio; presidente y director ejecutivo: Yoshinari Kitajima; en adelante, "DNP") ha invertido en Rapidus Inc. (sede central: Tokio; presidente y director ejecutivo: Atsuyoshi Koike). La inversión tiene como objetivo apoyar el desarrollo de la empresa en procesos de fabricación de obleas de semiconductores de última generación mediante litografía EUV (ultravioleta extremo). DNP impulsará el desarrollo y la producción en masa de fotomáscaras para litografía EUV y apoyará el establecimiento de un sistema de producción en masa para semiconductores de última generación de 2 nanómetros (nm: 10⁻¹⁴) y superiores.
Antecedentes y objetivos de la inversión
En los últimos años, los avances en IA y tecnología de conducción autónoma han llevado a un rápido desarrollo de la sociedad digital, y el aumento resultante en el consumo de energía debido a la mayor cantidad de datos generados se ha convertido en un problema, lo que lleva a una creciente demanda de semiconductores de próxima generación que mejoren el rendimiento del dispositivo y reduzcan el consumo de energía. Los semiconductores de próxima generación que utilizan litografía EUV forman patrones más finos en obleas de silicio que los métodos convencionales, lo que se espera que permita obtener semiconductores con alto rendimiento y bajo consumo de energía.
En 2024, DNP fue seleccionado como subcontratista de la Organización de Desarrollo de Nuevas Energías y Tecnología Industrial (NEDO), una agencia nacional de investigación y desarrollo en la que participa Rapidus, en su Proyecto de Investigación y Desarrollo de Fortalecimiento de la Infraestructura del Sistema de Información y Comunicaciones Post-5G, y ha estado desarrollando un proceso de fabricación de fotomáscaras para litografía EUV de generación de 2 nm.
En el futuro, nuestro objetivo será lograr rápidamente altos rendimientos y plazos de entrega cortos para las fotomáscaras de litografía EUV de generación de 2 nm, con el fin de alcanzar el objetivo de la empresa de producción en masa de semiconductores lógicos de generación de 2 nm para 2027. A través de esta inversión, fortaleceremos aún más la asociación que se ha cultivado entre las dos empresas hasta la fecha.
Fotomáscaras para litografía EUV para la generación de 2 nm y posteriores
Desarrollos futuros
DNP ha posicionado las fotomáscaras para litografía EUV como un motor de crecimiento para su negocio de semiconductores y continuará realizando inversiones proactivas. Además, DNP también impulsará el desarrollo tecnológico con miras a la generación de 1,4 nm, aún más fina, y más allá, contribuyendo así al crecimiento de la industria japonesa de semiconductores.
*DNPの最先端半導体用EUVリソグラフィ向けフォトマスクについて→ https://www.global.dnp/ja/news/detail/2024/12/1212_20176139/
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