面向下一代半导体强化纳米压印模板的量产体制
40亿日元设备投资满足10nm级3D结构NAND型闪存需求增长
2016年6月3日
Dai Nippon Printing Co., Ltd.（总部：东京；社长：北岛义俊；资本：1144亿日元；以下简称：DNP）将追加投资40亿日元用于纳米压印光刻（NIL）*模板的生产设备，该模板预计将用于形成数字产品存储介质——3D（三维）NAND闪存的电路图案，从而加强其大规模生产体系。
DNP一直致力于NIL模板的供应和开发，这次，为了应对3D结构NAND型闪存的需求大幅增加和低成本化，我们将加强10nm NIL模板的生产系统。
*纳米压印光刻：微细加工技术，通过将模具压到基材（例如树脂）上，以稳定且低成本地将图案转移到纳米（纳米：10-9 米）到微米（微米：10-6 米）尺度上。
【设备投资背景】
近年来，NAND闪存的需求快速增长。特别是具有垂直排列存储单元的3D结构的存储器可以显着增加数据容量，因此预计智能手机和数据中心的需求将大幅增加。市场预测到2018年NAND闪存的出货量将达到500亿美元，而2015年仅为300亿美元左右，其中70%以上将采用3D结构*。然而，利用传统的光刻技术制造半导体的方法，难以处理具有复杂工艺的3D结构，制造设备变得昂贵，并且制造成本的增加成为问题。
为了解决这个问题，使用NIL的制造方法直接从模板复制电路图案并复制它，因此可以使用相对便宜的曝光设备制造，而无需使用昂贵的光学设备。另外，由于制造工序也可简化，因此与以往的光刻技术相比，成本可降低约1/3,作为创新性半导体制造技术备受关注。
*Gartner预测
【关于通过设备投资强化量产体制】
自2003年以来，DNP一直在开发NIL流程所需的模板。2009年以后，我们与东芝和佳能合作开发NIL工艺，并投资70亿日元，并于2015年建立了电路宽度为20nm的模板批量生产系统。我们还成功开发了主模板，该模板是下一代半导体10nm NIL的原始版本，以及从主模板复制的副本模板。
全球半导体制造商正在加强NIL半导体制造技术的建立和生产系统，以应对3D结构NAND闪存的制造成本降低和进一步小型化。为了响应这些半导体制造商的运动，DNP还旨在通过40亿日元的资本投资来增加它，例如高分辨率高速EB绘图 (多光束绘图设备) 和干蚀刻等相关工艺设备，以及NIL模板我们将开发一个批量生产系统，以满足需求的增长。
【关于未来的发展】
通过加强开发和生产系统，以应对未来半导体的进一步小型化和成本降低，DNP计划在2019年通过NIL模板销售约100亿日元。
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