强化新一代半导体光掩膜的生产体制

大日本印刷株式会社 (总公司:东京都社长:北岛义俊资本金:1144亿日元以下:DNP) 导入了在半导体光掩膜的制造中能够大幅度缩短绘图周期的多电子束掩膜绘图装置，强化了下一代半导体光掩膜的生产体制。

目前的半导体正在小型化，例如在具有三维 (3D) 结构的硅晶片上形成十几纳米 (nm) 的电路图案。半导体的制造使用光刻技术，但由于分辨率受到光波长等特性的限制，因此使用多个光掩模形成一层硅片的多重曝光技术，我们正在使用光学校正技术，将考虑光特性校正的复杂图案应用于光掩模。但是，多重曝光会增加光掩膜的数量，而光学补偿会增加单个光掩膜的绘图时间。在用于10nm工艺的下一代半导体光掩模的制造中，仅图案绘制过程可能需要几天时间，并且由于未来的微细化进展，预计它将变得更长，因此需要一种缩短绘制时间的制造方法。

对此，DNP作为光掩膜专业厂商，在世界上首次^※导入了多电子束掩膜绘制装置，大幅缩短了光掩膜的绘制时间，实现了高生产性，从而强化了下一代半导体用光掩膜的生产体制。

DNP与半导体制造商，绘图设备制造商等合作开发了多电子束掩模绘图设备约五年。在这次引入的这种设备中，通过使控制曝光量的光圈变得特殊，可以从单个电子枪照射大约26万个电子束。在传统方法中，用于下一代半导体的光掩模的图案绘制需要长达几天 (取决于半导体电路图案的最小线宽度) 超过18小时，但每个电子束都是高精度的。通过在控制的同时进行绘图，半导体制造商的7纳米工艺的光掩模的绘图时间可达到约10小时。此外，即使在未来进一步微细化的下一代半导体光掩膜中，也可以缩短绘图时间。