开发用于兼容5纳米的EUV光刻的光掩模工艺
利用多电子束掩膜绘制装置实现高生产率和精度
2020年7月15日
大日本印刷株式会社 (总公司:东京都代表取缔役社长:北岛义齐资本金:1144亿日元以下:DNP) 利用使用多电子束的掩膜绘图仪，研发出相当于5纳米 (nm:10-9m) 工艺的光掩膜制造工艺，支持当今半导体制造最先进的EUV (ExtremeUltra-Violet) 光刻技术。
【5nm最尖端半导体光掩膜制造技术的特点】
〇在现在的半导体制造中，通过光刻技术在硅晶圆上形成十几nm的电路图案。然而，由于我们使用波长为193nm的ArF (氟化氩) 等准分子激光作为光刻光源，因此分辨率有限。通过使用波长为13.5nm的EUV作为光源，EUV光刻可以解决这个问题，从而形成几nm的电路图案。这种EUV光刻技术已在一些半导体制造商中投入实际应用，用于5~7纳米工艺微处理器，最先进的存储设备等。未来，许多从事最先进工艺的半导体制造商的使用将扩大这是预料之中的。
〇DNP于2016年作为光掩膜专业制造商在世界上首次导入了多电子束掩膜绘制装置※1，大幅度缩短了下一代半导体用光掩膜的绘制时间等，以高生产率和高品质满足了半导体制造商的要求。
〇此次DNP利用多电子束掩膜绘制装置的特性，自主设计了包含新型感光材料的工艺，并根据EUV掩膜的微细构造优化了加工条件，在光掩膜专业厂商中首次开发出了相当于5nm工艺的高精度EUV光刻用光掩膜制造工艺。
〇多电子束遮罩绘图仪发射26万束电子束，使您能够使用高分辨率光刻胶进行高精度图案绘制，从而显著缩短包括曲线在内的复杂图案形状的绘制时间。此外，该设备的线性工作台 (用于直线移动构件的基座) 具有高操作稳定性并提高了绘图精度。
高精度光罩 (左) 对应于EUV光刻的5纳米工艺，图案放大照片 (右)
【今后的发展】
未来，DNP将为国内外半导体制造商，半导体开发联盟，制造设备制造商，材料制造商等提供用于EUV光刻的光掩模，支持EUV光刻的外围技术开发，2023年我们的目标是每年销售60亿日元。
另外，通过与总部设在比利时的国际半导体研究机构IMEC (Interuniversity Microelectronics Centre) 等合作伙伴的共同开发，该公司还将推进3nm以后更微细的工艺开发。
凭借其在印刷技术和信息处理方面的优势，DNP将提供一系列解决方案，以支持Society 5.0所设想的先进信息社会。特别是，为了实现先进信息社会所必需的高性能半导体，DNP将利用“微细加工技术”（即应用和开发印刷工艺），并将加强其精细半导体光掩模的供应体系，预计未来对这类光掩模的需求将进一步增长。
- DNP新闻稿 (2016年12月13日) “加强下一代半导体光掩膜生产系统”
- 其他所记载的公司名、商品名是各公司的商标或注册商标。
- 新闻稿中提到的产品的价格、规格、服务内容等截至发布之日。之后可能会在没有预告的情况下变更，敬请谅解。