出资支持Rapidus构筑新一代半导体量产体制
加速EUV光刻用光掩膜的开发及量产
2026年2月27日
Dai Nippon Printing Co., Ltd.（总部：东京；董事首席执行官：北岛义孝；以下简称“DNP”）已投资Rapidus株式会社（总部：东京；董事首席执行官：小池敦义）。此次投资旨在支持Rapidus开发采用极紫外（EUV）光刻技术的下一代半导体晶圆制造工艺。DNP将推进EUV光刻光掩模的开发和量产，并支持Rapidus建立用于其2纳米（nm：10⁻⁹ m）及后续下一代半导体的量产体系。
投资的背景和目标
近年来，随着人工智能和自动驾驶技术的发展，数字社会迅速发展，随着数据生成量的增加，能源消耗的增加成为一个问题。为了提高设备性能和降低功耗，对下一代半导体的需求正在增加。在使用EUV光刻的下一代半导体中，在硅晶圆上形成比以前更精细的图案，并且期望实现具有高性能和低功耗的半导体。
在这种形势下，DNP于2024年被Rapidus参与的日本国立研究开发法人新能源产业技术综合开发机构 (NEDO) 的“后5G信息通信系统基础强化研究开发项目”作为再委托方，开始开发面向2nm工艺EUV光刻的光掩膜制造工艺。
今后，为了实现该公司2027年2nm工艺逻辑半导体的量产目标，将力争早日实现2nm工艺EUV光刻用光掩膜的高成品率、短交货期。通过本次出资，我们将进一步加强两家公司之间的合作关系。
2nm以后的EUV光刻用光掩膜
未来发展
DNP将面向EUV光刻的光掩膜定位为半导体相关事业的增长动力，继续积极投资，同时推进面向更微细的1.4nm工艺以后的技术开发，为日本半导体产业的增长做贡献。
＊DNPの最先端半導体用EUVリソグラフィ向けフォトマスクについて→ https://www.global.dnp/ja/news/detail/2024/12/1212_20176139/
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