Im Werk Kuki (Präfektur Saitama) wurde eine Pilotlinie für „TGV (Glas-durch-Elektrode) Glaskernsubstrat“ eingerichtet.

In den letzten Jahren haben Fortschritte in der generativen KI und anderen Technologien zu einer rasanten Verbreitung von Chiplets geführt. Diese ermöglichen die dichte Anordnung mehrerer Halbleiterchips mit unterschiedlichen Funktionen auf einem einzigen Substrat, um die Verarbeitungsgeschwindigkeit zu erhöhen. Da Chiplets die Größe der Substrate für Halbleitergehäuse der nächsten Generation vergrößern, weisen herkömmliche Substrate auf Basis organischer Harze nicht die erforderliche Ebenheit auf, was die Herstellung feiner Leiterbahnen erschwert. Zudem führt ihre mangelnde Steifigkeit zu Verformungen des Substrats, was die Montage von Halbleiterchips zusätzlich erschwert.

DNP entwickelte 2023 das TGV-Glaskernsubstrat, das Glas als Kernmaterial verwendet und als Alternative zu herkömmlichen organischen Kernsubstraten eingesetzt werden soll, um Probleme mit Halbleitergehäusesubstraten der nächsten Generation zu lösen. ^*1 Da viele Unternehmen ihre Bemühungen verstärken, die Einführung von Glaskernsubstraten zu erproben und die Zuverlässigkeit von Halbleitergehäusen zu bewerten, wird DNP nun eine neue Pilotlinie für die Herstellung von TGV-Glaskernsubstraten errichten und ab Anfang 2026 Muster liefern. Mit dem Aufbau dieser Anlage und des Systems will DNP Ressourcen wie Personal und Fläche im Werk Kuki, das sich traditionell auf den Druck von Publikationen konzentriert, optimieren und gleichzeitig die Transformation des Geschäftsportfolios von DNP vorantreiben.

TGV-Glaskernsubstrate bilden das Kernmaterial für FC-BGA (Flip-Chip-Ball Grid Array), das zwischen Motherboard und Halbleiterchip platziert wird. Die Ausbildung zahlreicher feiner Durchgangslochelektroden ermöglicht die elektrische Verbindung zwischen Motherboard und Halbleiterchip. Durch den Ersatz herkömmlicher organischer Harze durch Glas lassen sich Durchgangslochelektroden mit höherer Dichte anordnen, was zu noch leistungsfähigeren Halbleitergehäusen führt.

Obwohl die Panelgröße mit 510 x 515 mm relativ groß ist, weist sie die für Halbleitergehäuse der nächsten Generation erforderliche Ebenheit und Steifigkeit auf, um ein Verziehen zu verhindern.

Wir fertigen und liefern zwei Arten: eine „gefüllte Art“, bei der Kupfer in Löcher gefüllt wird, die das Glas durchdringen, und eine „konforme Art“, bei der eine Metallschicht an die Seitenwand des Durchgangslochs geklebt wird.

Ziel ist die Massenproduktion von Produkten mit hohem Aspektverhältnis (kleiner Durchgangslochdurchmesser im Verhältnis zur Glasdicke) und hoher Qualität, die bei den Kunden stark nachgefragt werden und bei denen die technologische Überlegenheit von DNP voll ausgeschöpft werden kann.

DNP wird ab Anfang 2026 TGV-Glaskernsubstratmuster aus der neuen Pilotlinie liefern und ein System aufbauen, das darauf abzielt, die Massenproduktion im Geschäftsjahr 2028 aufzunehmen, wobei Kunden- und Markttrends überwacht werden.

Das Produkt wird auf dem DNP-Stand (Osthalle 6, Standnummer E5936) auf der SEMICON Japan 2025 ausgestellt, die vom 17. bis 19. Dezember 2025 im Tokyo Big Sight (Internationales Ausstellungszentrum) stattfindet.

1. TGVガラスコア基板を開発 → https://www.dnp.co.jp/news/detail/20169059_1587.html

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