面向下一代半導體強化納米壓印模板的量產體制
40億日元設備投資滿足10nm級3D結構NAND型閃存需求增長
2016年6月3日
Dai Nippon Printing Co., Ltd.（總部：東京；社長：北島義俊；資本：1144億日圓；以下簡稱：DNP）將追加投資40億日元用於奈米壓印光刻（NIL）*模板的生產設備，該模板預計將用於形成數位產品儲存介質－3D（三維）NANDANDNAN D） *模板的生產設備，該模板預計將用於形成數位產品儲存介質－3D（三維）NANDANDNAN D，從而加強其大規模生產體系的生產體系。
DNP一直衹力於NIL模板的供應和開發，這次，為了應對3D結構NAND型閃存的需求大幅增加和低成本化，我們將加強10nm NIL模板的生產係統。
*奈米壓印微影：微細加工技術，透過將模具壓到基材（例如樹脂）上，以穩定且低成本地將圖案轉移到奈米（奈米：10-9 公尺）到微米（微米：10-6 公尺）尺度上。
【設備投資背景】
近年來，NAND閃存的需求快速增長。特別是具有垂直排列存儲單元的3D結構的存儲器可以顯著增加數據容量，因此預計智能手機和數據中心的需求將大幅增加。市場預測到2018年NAND閃存的出貨量將達到500億美元，而2015年僅為300億美元左右，其中70%以上將採用3D結構*。然而，利用傳統的光刻技術制造半導體的方法，難以處理具有復雜工藝的3D結構，制造設備變得昂貴，並且制造成本的增加成為問題。
為了解決這個問題，使用NIL的制造方法直接從模板復制電路圖案並復制它，因此可以使用相對便宜的曝光設備制造，而無需使用昂貴的光學設備。另外，由於制造工序也可簡化，因此與以往的光刻技術相比，成本可降低約1/3,作為創新性半導體制造技術備受關註。
*Gartner預測
【關於通過設備投資強化量產體制】
自2003年以來，DNP一直在開發NIL流程所需的模板。2009年以後，我們與東芝和佳能合作開發NIL工藝，並投資70億日元，並於2015年建立了電路寬度為20nm的模板批量生產係統。我們還成功開發了主模板，該模板是下一代半導體10nm NIL的原始版本，以及從主模板復制的副本模板。
全球半導體制造商正在加強NIL半導體制造技術的建立和生產係統，以應對3D結構NAND閃存的制造成本降低和進一步小型化。為了響應這些半導體制造商的運動，DNP還旨在通過40億日元的資本投資來增加它，例如高解析度高速EB繪圖 (多光束繪圖設備) 和幹蝕刻等相關工藝設備，以及NIL模板我們將開發一個批量生產係統，以滿足需求的增長。
【關於未來的發展】
通過加強開發和生產係統，以應對未來半導體的進一步小型化和成本降低，DNP計劃在2019年通過NIL模板銷售約100億日元。
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