強化新一代半導體光掩膜的生產體制

大日本印刷株式會社 (總公司:東京社長:北島義俊資本金:1144億日元以下:DNP) 導入在半導體光掩膜制造中能夠大幅度縮短繪制時間的多電子束掩膜繪制裝置，強化下一代半導體光掩膜的生產體制。

目前的半導體正在小型化，例如在具有三維 (3D) 結構的硅晶片上形成十幾納米 (nm) 的電路圖案。半導體的制造使用光刻技術，但由於解析度受到光波長等特性的限制，因此使用多個光掩模形成一層硅片的多重曝光技術，我們正在使用光學校正技術，將考慮光特性校正的復雜圖案應用於光掩模。但是，多重曝光會增加光掩膜的數量，而光學補償會增加單個光掩膜的繪圖時間。在用於10nm工藝的下一代半導體光掩模的制造中，僅圖案繪制過程可能需要幾天時間，並且由於未來的微細化進展，預計它將變得更長，因此需要一種縮短繪制時間的制造方法。

對此，DNP作為光掩膜專業廠商，在世界上首次^※導入了多電子束掩膜繪制裝置，大幅縮短了光掩膜的繪制時間，實現了高生產性，從而強化了下一代半導體用光掩膜的生產體制。

DNP與半導體制造商，繪圖設備制造商等合作開發了多電子束掩模繪圖設備約五年。在這次引入的這種設備中，通過使控制曝光量的光圈變得特殊，可以從單個電子槍照射大約26萬個電子束。在傳統方法中，用於下一代半導體的光掩模的圖案繪制需要長達幾天 (取決於半導體電路圖案的最小線寬度) 超過18小時，但每個電子束都是高精度的。通過在控制的同時進行繪圖，半導體制造商的7納米工藝的光掩模的繪圖時間可達到約10小時。此外，即使在未來進一步微細化的下一代半導體光掩膜中，也可以縮短繪圖時間。