開發用於兼容5納米的EUV光刻的光掩模工藝
利用多電子束掩膜繪制裝置實現高生產率和精度
2020年7月15日
大日本印刷株式會社 (總公司:東京代表取締役社長:北島義齊資本:1144億日元以下:DNP) 利用使用多電子束的掩膜繪圖儀，開發出了相當於5納米 (nm:10-9m) 工藝的光掩膜制造工藝，支持當今半導體制造最先進的EUV (ExtremeUltra-Violet:極紫外) 光刻。
【5nm最尖端半導體光掩膜制造技術的特點】
〇在現在的半導體制造中，通過光刻技術在硅晶圓上形成十幾nm的電路圖案。然而，由於我們使用波長為193nm的ArF (氟化氬) 等準分子激光作為光刻光源，因此解析度有限。通過使用波長為13.5nm的EUV作為光源，EUV光刻可以解決這個問題，從而形成幾nm的電路圖案。這種EUV光刻技術已在一些半導體制造商中投入實際應用，用於5~7納米工藝微處理器，最先進的存儲設備等。未來，許多從事最先進工藝的半導體制造商的使用將擴大這是預料之中的。
〇DNP於2016年作為光掩膜專業制造商在世界上首次導入了多電子束掩膜繪制裝置※1，大幅度縮短了下一代半導體用光掩膜的繪制時間等，以高生產率和高品質滿足了半導體制造商的要求。
〇此次DNP利用多電子束掩膜繪制裝置的特性，自主設計了包含新型感光材料的工藝，並根據EUV掩膜的微細構造優化了加工條件，在光掩膜專業廠商中首次開發出了相當於5nm工藝的高精度EUV光刻用光掩膜制造工藝。
〇多電子束遮罩繪圖儀發射26萬束電子束，使您能夠使用高解析度光刻膠進行高精度圖案繪制，從而顯著縮短包括曲線在內的復雜圖案形狀的繪制時間。此外，該設備的線性工作臺 (用於直線移動構件的基座) 具有高操作穩定性並提高了繪圖精度。
高精度光罩 (左) 對應於EUV光刻的5納米工藝，圖案放大照片 (右)
【今後的發展】
未來，DNP將為國內外半導體制造商，半導體開發聯盟，制造設備制造商，材料制造商等提供用於EUV光刻的光掩模，支持EUV光刻的外圍技術開發，2023年我們的目標是每年銷售60億日元。
另外，通過與總部設在比利時的國際半導體研究機構IMEC (Interuniversity Microelectronics Centre) 等合作夥伴的共同開發，該公司還將推進3nm以後更微細的工藝開發。
憑藉其在印刷技術和資訊處理方面的優勢，DNP將提供一系列解決方案，以支持Society 5.0所設想的先進資訊社會。特別是，為了實現先進資訊社會所必需的高性能半導體，DNP將利用「微細加工技術」（即應用和開發印刷製程），並將加強其精細半導體光掩模的供應體系，預計未來對這類光掩模的需求將進一步增長。
- DNP新聞稿 (2016年12月13日) “加強下一代半導體光掩膜生產係統”
- 其他所記載的公司名、商品名是各公司的商標或註冊商標。
- 新聞稿中提到的產品的價格、規格、服務內容等截至發佈之日。之後可能會在沒有預告的情況下變更，敬請諒解。