開發用於相當於3納米的EUV光刻的光掩模制造工藝
滿足電路線寬不斷微細化的半導體市場需求
2023年12月12日
大日本印刷株式會社 (總公司:東京代表取締役社長:北島義齊以下簡稱:DNP) 開發出了相當於3納米 (nm:10-9 m) 的光掩膜制造工藝，適用於半導體制造的尖端工藝EUV (ExtremeUltra-Violet:極紫外) 光刻。隨著智能手機和數據中心等使用的邏輯半導體的高性能化，滿足了線路寬度的微細化需求。
隨著DNP獲得SCIVAX股份的部分轉讓而成為SCIVAX的股東，兩家公司將DNP的批量生產專業知識與SCIVAX的批量生產制造設備的優勢相結合，以滿足國內外制造商對納米壓印產品的批量生產需求。
用於EUV光刻的光掩膜相當於3納米
【開發背景】
近年來，使用EUV光源的EUV光刻技術已經確立，最先進的邏輯半導體正在通過EUV光刻進行生產。2023年將提供採用3nm邏輯半導體的產品，預計半導體電路寬度的小型化將繼續發展。此外，EUV光刻在存儲器半導體中的採用正在進行中，並且EUV對應對於供應最先進的半導體是必不可少的。
DNP於2016年作為光掩膜專業制造商在世界上首次導入了多電子束掩膜繪制裝置*1，以高生產率和高品質滿足了半導體制造商的要求。另外，2020年開發了相當於5nm工藝的EUV光刻用光掩膜制造工藝*2，開始供應滿足半導體相關市場需求的掩膜。為了滿足進一步小型化的需求，我們開發了相當於3納米工藝的EUV光刻光掩模。
【開發概要】
○DNP於2016年推出的多電子束掩模繪圖儀能夠照射大約26萬束電子束，即使對於復雜的圖案形狀，也可以大大縮短繪圖時間。我們改進了制造工藝，充分利用了該設備的特性，優化了數據校正技術和加工條件，以適應EUV光刻光罩的復雜曲線圖案結構。
○DNP將增加一臺新的多電子束掩模繪圖儀，並將於2024年下半年投入運營。強化EUV光刻用光掩膜等尖端領域半導體制造的應對。
○我們正在與總部設在比利時的最先進的國際研究機構imec (Interuniversity Microelectronics Centre) 合作開發用於下一代EUV曝光設備的光掩模。
【今後的發展】
DNP將向全球半導體廠商、半導體開發聯盟、制造設備廠商、材料廠商等提供此次開發的相當於3nm的EUV光刻用光掩膜，同時還將支援EUV光刻的周邊技術開發，力爭到2030年實現年銷售額100億日元。通過與imec等合作夥伴的聯合開發，DNP還將繼續開發比3納米更精細的2納米工藝。
*1 2016年12月13日新聞發佈:強化新一代半導體光掩膜生產體制
*2 2020年7月10日新聞發佈:開發用於5nm兼容EUV光刻的光掩模工藝
- 在“SEMICON Japan 2023”上，我們將介紹用於EUV光刻的光掩膜。
- 所記載的公司名、商品名是各公司的商標或註冊商標。
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