加速開發用於2納米EUV光刻的光掩模制造工藝

近年來，在最先進的邏輯半導體中，使用EUV光源的EUV光刻正在進行生產。DNP於2016年作為光掩膜專業制造商在世界上首次導入了多電子束掩膜繪制裝置等^*2，強化了具備高生產率和高品質的尖端領域半導體制造的對應。2023年，我們完成了用於EUV光刻的3納米光掩模制造工藝的開發^*3，並開始了2納米工藝的開發。

為滿足此次進一步微細化的需求，我們將在2024年度內啟動第2臺和第3臺多電子束掩膜繪制裝置等，正式開發面向2納米EUV光刻的光掩膜制造工藝。

另外，DNP作為再委托方參與了在NEDO的“後5G信息通信係統基礎強化研究開發事業”中由Rapidus株式會社受托進行的“ (d1) 高集成度最尖端邏輯半導體制造技術開發”項目。

DNP將在2025年度之前，完成支持EUV光刻的2納米工藝邏輯半導體用光掩膜制造工藝的開發，2026年度以後，以2027年度開始量產為目標，推進生產技術的確立。

此外，我們還開始開發2納米或更高世代，並與總部設在比利時的最先進的國際研究機構imec簽署了一項協議，共同開發下一代EUV光掩模。

DNP通過與國際半導體產業的各種合作夥伴合作促進發展，為日本半導體產業的發展做出贡獻。

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