在用於EUV光刻的光掩膜上實現2納米世代以後的精細圖案的解析度

大日本印刷株式會社 (總公司:東京代表取締役社長:北島義齊以下簡稱:DNP) 成功解析出2納米 (nm:10^-9 m) 代以後^*1邏輯半導體光掩膜所需的微細圖案，該光掩膜支持半導體制造最尖端工藝EUV (ExtremeUltra-Violet:極紫外) 光刻。

此外，DNP完成了與高開口數 (高NA) ^*2兼容的光掩模的基礎評估，該光掩模計劃應用於2nm工藝及更高世代半導體，我們開始向半導體開發聯盟，制造設備制造商，材料制造商等提供評估光掩模。高NA-EUV光刻可以在硅晶圓上形成解析度比以前更高的精細圖案，從而有望實現高性能和低功耗的半導體。

近年來，在最先進的邏輯半導體中，使用EUV光源的EUV光刻的大規模生產進一步發展，存儲半導體的採用也在擴大，EUV光刻對於提供最先進的半導體是不可或缺的。

2023年，DNP完成了用於3nm EUV光刻的光掩模制造工藝的開發^*3。2024年作為再委托方參與了Rapidus株式會社 (總公司:東京代表取締役社長:小池淳義) 參加的國立研究開發法人新能源產業技術綜合開發機構 (NEDO) 的“後5G信息通信係統基礎強化研究開發事業”項目，開發面向最尖端邏輯半導體的光掩膜制造工藝及保證相關技術^*4。

此次，DNP成功地將面向尖端領域半導體制造的2nm以後的邏輯半導體光掩膜所需的微細圖案解析為面向EUV光刻的光掩膜。除此之外，我們還完成了與高NA相對應的EUV光掩模的基本評估，該光掩模被認為適用於2nm之後的下一代半導體，並開始提供樣品掩模。

• 2nm工藝以後的EUV光刻用光掩膜的實現要求圖案比3nm工藝縮小20%以上。需要一種技術來解析同一蒙版上的所有精細圖案，包括更復雜的曲線圖案，以及一般的直線和矩形圖案以及尺寸和形狀。通過在已建立的3nm制造工藝的基礎上不斷改進，DNP實現了2nm之後所需圖案的解析度。