半導體集成在智能手機等信息終端,汽車等移動性,ATM和家用電器等所有電器中,支持我們的生活。制造過程中最重要的構件是用於形成精細電路圖案的光掩模。自1959年成功試制光掩膜以來,DNP一直挑戰各種產品的開發和技術創新。它現在是支持國際半導體市場的主要業務支柱。揭開這個DNP光掩膜的秘密。
活靈活現的...金屬活字爺爺。他從事印刷工作已超過100年。通過長期經驗培養的DNP小組的豐富知識,它是一個活生生的存在,教導各種各樣的事情。
小蜻蜓...印刷物套準※用的“蜻蜓”衍生的角色。性格嚴謹,最討厭彎彎曲曲。用細微的關懷幫助您活下去。
- 【印刷用語:套準】 在多色印刷中將各色印版重疊時的位置精度為“套準”。用印在版面上的名為蜻蜓的寄存器標記來對準。
影響半導體性能的光掩膜
讓我們從制造中使用的半導體的解釋開始,主題是“光掩膜”。
半導體是現代社會不可或缺的部件,從電飯煲和微波爐等家用電器到智能手機,個人電腦和汽車。本來是表示物體性質的詞語,因為它具有介於像金屬一樣容易導電的“導體”和像塑料一樣難以導電的“絕緣體”之間的性質,所以被稱為“半導體”。使用此屬性可打開或關閉電源並控制設備。
影響半導體性能的是控制這種電流的電路模式的精度。根據1965年英特爾公司創始成員倡導的“摩爾定律”,電路圖案的精密化速度據說是“18個月內翻一番”,目前最小的圖案尺寸約為12納米(納米,10億倍1米)。它比大約100納米的流感病毒更精細。作為需要高性能半導體的產品之一,以智能手機為例,據說2024年最新型號的精度比2007年發佈的第一代產品高出約7萬倍。我會的。
制造這種半導體的重要部件之一是光掩膜。它起著像照片負片一樣的作用,並用作原始版本,將半導體晶片的電路圖案轉移到稱為硅晶片的基材上。換句話說,無論電路設計多麽精確,如果沒有光掩模準確轉移它,就不可能大規模生產半導體。
半導體制造工序
1959年,DNP公司結合其在印刷製程中累積的微細加工技術和光學設計技術,成功開發出半導體光掩模。此後,我們持續開發並為半導體製造商提供一系列高精度光掩模。
產生精密光掩膜的秘密
從這裡開始,我們來看看光掩模本身的機制。光掩模是一種透明的板狀構件,用於在玻璃或石英上繪制半導體晶片的電路圖案。
普通光掩膜的尺寸約為150mm見方。電路圖案在中心平面部分繪制為白色。
在光掩模上繪制的電路圖案是納米 (納米) 單位的超精細電路,據說是頭發厚度的10萬倍,其制造需要先進的技術。其中,DNP光掩膜精衹,缺陷和異物很少,尺寸均勻性約為1.5nm或更小,圖案位置偏差小於2nm。光缺陷檢測裝置的靈敏度為35nm,在約80分鐘內檢測100mm見方。
光掩膜的制造工序
通過這種方式,DNP通過多年來培養的技術,專有技術和制造工藝的獨創性實現了高質量光掩膜的制造。
DNP的目標是建立一個任何人都可以利用先進技術的未來
近年來,除了生成AI, VR·AR,自動操作的滲透之外,由於支持它們的大規模數據中心的需求擴大等社會背景,需要更先進的下一代半導體。具有快速算術處理的下一代半導體有望實現節能效果,例如延長電池壽命和減少數據中心的二氧化碳排放。與此同時,還需要能夠轉移更精細電路的光掩模。
帶有保護膜的EUV光刻用光掩膜。我們已經完成了3納米制造工藝的開發,並開始開發2納米工藝。
然而,雖然預計對EUV的響應,但由於使用新的制造設備需要大量的資本投資,因此難以大規模生產。無法解決資金問題的半導體制造商很難在這些尖端領域工作,各公司之間的技術差距正在擴大,這是近年來半導體業界面臨的問題之一。
為了應對這些挑戰,納米壓印光刻 (NIL) 有望成為傳統方法與EUV兼容性之間的差距之一。NIL是一種通過將形成電路圖案的模板壓接到塗有樹脂的基板上來制造超細圖案半導體的技術,將半導體制造時的功耗降低到傳統方法的約1/10。“低功耗”和“低成本”是一個很大的優點,可以抑制。DNP目前正衹力於NIL的大規模生產,隨著這一目標的實現,人們註意到更多的制造商將能夠制造採用先進技術的半導體,這將導衹整個半導體市場的增長我正在聚會。
實現20nm級細微凹凸的NIL (納米壓印光刻) 模板
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https://www.dnp.co.jp/media/detail/10161674_1563.html
DNP將繼續衹力於NIL模板的批量生產,該模板在低功耗和低成本方面擴大了產品選擇範圍,同時繼續開發EUV等先進領域,有望進一步發展。通過滿足各種光掩膜和模板的需求,我們將為實現“民主化”做出贡獻,許多公司可以參與先進領域的半導體制造,並實現每個人都可以享受舒適方便的服務和終端的社會。DNP將自己創造一個更美好的未來。
考慮到半導體的重要性,光掩膜的責任是嚴重的。
我認為「DNP技術拯救世界!」,我希望你盡力而為。
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2024年9月24日發現DNP編輯部